职责描述：
1.化合物半导体光电芯片工艺开发
2.光电芯片集成工艺开发和优化
3.工艺流程制定和维护
4.光电芯片整体结构设计
5.光电芯片可靠性相关Fab工艺优化
6.通过系统性实验(DOE)解决工艺优化和工艺问题
任职要求：
1.学历：硕士及以上
2.专业及知识要求：
1）光电、微电子与固体电子学、半导体物理、电子科学与技术、电路与系统、通信工程、电磁场、材料物理等相关专业
2）熟悉Ⅲ/Ⅴ族半导体激光器相关原理及应用
3.能力要求：
1）熟练掌握Ⅲ/Ⅴ族半导体光芯片的原理、设计、工艺流程，有成功的半导体光芯片开发经验优先，
2）熟悉光刻、电子束光刻，湿法刻蚀、干法刻蚀， 金属镀膜、介质膜沉积，溅射、解理，端面镀膜， 背面工艺，材料制备等各种半导体光芯片工艺
更新时间: 2024/09/29
更新时间: 2024/09/29
更新时间: 2024/09/29
更新时间: 2024/09/29
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